تتوالى التسريبات التي تكشف عن المواصفات المتوقعة لهاتف سامسونج المرتقب Galaxy Note 6، واليوم تؤكد التسريبات من جديد على أن هاتف سامسونج القادم يأتي بأعلى مواصفات في الذاكرة العشوائية.
مازال لدينا حتى شهر سبتمبر لنشهد انطلاق هاتف Galaxy Note 6 من سامسونج، في معرض IFA 2016 المقرر عقده من الثاتي إلى السابع من شهر سبتمبر في برلين، لكن مازالت التسريبات تنتشر على شبكة الأنترنت لتوقع مواصفات هاتف Galaxy Note 6 المرتقب.
وقد كشفت التسريبات الأخيرة إلى أن هاتف Galaxy Note 6 سيحصل على ذاكرة عشوائية تصل إلى 6 جيجا بايت رام، بل أن بعض التوقعات أشارت إلى 8 جيجابايت رام في الذاكرة العشوائية، في ذاكرة 10nm LPDDR4 RAM، كما تؤكد التسريبات أن سامسونج لن تقدم اصدار ايدج من الهاتف، نظراً لحجم هاتف Galaxy S7 Edge مع شاشة 5.5 أنش، لذا ستكتفي سامسونج بأكبر حجم في الشاشة في هاتف Galaxy Note 6.
السبب الرئيسي لهذه التوقعات يرجع إلى اعلان سامسونج مؤخراً في الصين عن رقاقة LPDDR4 6GB -DRAM، والتي أكدت فيها سامسونج أن ستكون بأعلى سرعة مع ميزة استهلاك الطاقة بأعلى كفاءة، ليكون هاتف Galaxy Note 6 إصدار مميزة وراقي من سامسونج.
ومن مواصفات هاتف Galaxy Note 6 التي كشف عنها حتى الأن، في شاشة Super AMOLED بجودة QHD وبحجم 5.8 انش، ودقة وضوح 2560 في 1440 بيكسل، إلى جانب بطارية بقدرة 4000 mAh، لكن مازال لدينا إلى شهر سبتمبر لنكشف عن مزيد من مواصفات الهاتف المميز Galaxy Note 6 من سامسونج.
منقول
رد مع اقتباس