أعلنت Samsung أنها بدأت الإنتاج الهائل لذاكرة (3D) Vertical NAND (V-NAND) (MLC) الأولى في مجال الصناعة، من أجل الاستخدام في محركات الأقراص الصلبة (SSDs).
قال جايسو هان، نائب رئيس أول لقسم التسويق ومبيعات الذاكرة، لدى Samsung " مع إضافة خط جديد من SSDs عالي الكثافة في كلا من الأداء والقيمة ، نعتقد بأن 3bit V-NAND ستسرع انتقال أجهزة تخزين البيانات من محركات HDD إلى SSDs. المجموعة الأوسع من الـ SSDs ستزيد من تنافسية منتجاتنا ونحن نوسع أكثر من أعمال SSDs المتنامية بسرعة".
في بنية رقاقة V-NAND ، كل خلية متصلة كهربائيا بطبقة عازلة للتوصيل الكهربائي باستخدام تقنية CTF. كل مجموعة خلية مدرجة على بعضها البعض لتشكل رقاقات بملايين الخلايا. استخدام مجموعات خلايا مكدسة بـ32 طبقة وبـ3bit-per-cell ترفع بوضوح كفاءة إنتاج الذاكرة. مقارنة مع Samsung's 10 nanometer-class* 3bit planar NAND flash، الـ3bit V-NAND الجديد يمتلك ضعف إنتاجية الشرائح.
قدمت Samsung جيلها الأول V-NAND خلايا بـ24 طبقة في أغسطس 2013 و قدمت جيلها الثاني V-NAND32 ذات 32 طبقة في مايو 2014. مع إطلاق 3bit V-NAND ذات الـ32 طبقة، فإن Samsung تقود عصر ذاكرة الـ3D بتسريع تطوير تقنية إنتاج V-NAND.
بعد الحصول على محركات SSDs المستند على ذاكرة 3bit planar NAND في 2012، أثبتت Samsung أن هناك سوق هائل من أجل 3bit NAND SSDs عالي الكثافة. 3bit 3D V-NAND الأول في الصناعة سيتوسع بشكل كبير في اعتماد السوق على ذاكرة V-NAND، نحو محركات SSDs المناسبه لمستخدمي الحاسوب العام، إضافة لتلبية فعالة لكل احتياجات التخزين عالية التحمل لمعظم السيرفرات المتواجدة اليوم.
رد مع اقتباس
